Substrati di diffusione del calore W–Cu ad alta-densità per dispositivi di alimentazione e RF
Caratteristiche principali
- Elevata conduttività termica:Diffonde rapidamente il calore lontano dai dispositivi di alimentazione per prevenire la formazione di punti caldi.
- CTE su misura:Si abbina a Si, GaN, GaAs o SiC per ridurre al minimo lo stress termico.
- Stabilità alle alte-temperature:Mantiene le prestazioni in condizioni di funzionamento continuo ad alta-potenza.
- Precisione dimensionale:La lavorazione PM garantisce tolleranze strette e deformazioni minime.
- Compatibilità della superficie:Adatto per placcatura Ni/Au, saldatura e incollaggio diretto.
- Affidabilità del pacchetto ermetico:Supporta basi durevoli per custodie ermetiche.
- PM rispetto alla lavorazione tradizionale:Supera le prestazioni di fresatura o fusione per W-Cu denso riducendo la lavorazione, gli scarti e la distorsione termica consentendo al tempo stesso geometrie complesse.
Panoramica
I substrati termici NEWLIFE tungsteno-rame (W-Cu) sono soluzioni-progettate con precisione per imballaggi di semiconduttori ad alta-potenza, moduli RF e basi LED e laser ad alte-prestazioni. Questi substrati offrono un'efficiente diffusione del calore, una bassa resistenza termica e un coefficiente di espansione termica controllato (CTE) su misura per materiali semiconduttori come Si, GaN, GaAs e SiC.
Prodotti tramite metallurgia delle polveri (PM) e sinterizzazione-infiltrazione, i substrati NEWLIFE W–Cu offrono alta densità, microstruttura uniforme ed eccellente stabilità dimensionale sotto ripetuti cicli termici. A differenza della lavorazione tradizionale o della pressofusione-, la PM consente la produzione di forme quasi-nette-di piastre complesse, blocchi e grezzi per dissipatori di calore, riducendo gli sprechi di materiale, i tempi di lavorazione e le tensioni residue nei compositi W-Cu ad alta-densità. Le polveri brevettate di NEWLIFE garantiscono un comportamento di sinterizzazione prevedibile, purezza superiore e prestazioni termiche ottimali su tutto il substrato.
La combinazione di elevata resistenza meccanica, conduttività termica e CTE su misura rende questi substrati ideali per assemblaggi elettronici di precisione in cui la gestione termica e l'affidabilità strutturale sono fondamentali.
Applicazioni
- Moduli a semiconduttore di potenza:Dispositivi IGBT, MOSFET, SiC/GaN.
- Sistemi RF e microonde:Substrati efficienti per dispositivi ad alta-frequenza.
- Basi laser e LED ad alta- potenza:Stabilità termica per moduli ottici.
- Confezioni ermeticamente sigillate:Basi per l'industria aerospaziale, della difesa e dell'elettronica industriale.
- Elettronica di precisione:Gruppi ad alta-affidabilità che richiedono prestazioni termiche e meccaniche.
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